Ohm's Law
Ohm's Law
1. Volts
Volts = √Watts x Ohms = Watts / Amperes = Amperes x Ohms
2. Amperes
Amperes = Volts / Ohms = Watts / Volts = √(Watts/Ohms)
3. Ohms
Ohms = Volts / Amperes = Volts^2 / Watts = Watts / Amperes^2
4. Watts
Watts = Volts x Amperes = Amperes^2 x Ohms = Volts^2 / Ohms
Pasted from <http://chemeng.co.kr/site/bbs/board.php?bo_table=xstudy5&wr_id=3&page=&page=>
'제어 및 operation' 카테고리의 다른 글
| 인버터 고조파 (0) | 2016.10.24 |
|---|---|
| 배선내 Line loss (0) | 2016.10.24 |
| 전기약어사전 (0) | 2016.10.24 |
| 전기기초 이론정리 (0) | 2016.10.24 |
| 통신 이야기 (0) | 2016.09.22 |
전기약어사전
전기약어 사전
▶ ABC : Automatic Brightness Control (자동 휘도 조절)
▶ ABCC : Automatic Brightness and Contrast Control (자동 휘도 콘트라스트 조절)
▶ AC : Alternating Current (교류)
▶ ACAS : Airborne Collision Avoidance System (기상 충돌 방지 장치)
▶ ACB : Air-blast Circuit Breaker (공기 차단기), Air Circuit Breaker (기중 차단기)
▶ ACSR : Aluminum Cable Steel Reinforced (강심 알루미늄 연선)
▶ ADC : Analog Digital Converter (아나로그 디지탈 변환기)
▶ ADF : Automatic Direction Finder (자동 방위 측정기)
▶ ADM : Adaptive Delta Modulation (적응 델타 변조)
▶ ADPCM : Adaptive Differential Pulse Code Modulation (적응 차등 펄스 부호 변조방식)
▶ ADS : Automation Distribution System (배전 자동화 시스템)
▶ AF : Audio Frequency (가청 주파수)
▶ AFC : Automation Frequency Control (자동 주파수 제어)
▶ AFT : Automation Fine Tuning (자동 세밀 조정)
▶ AGC : Automation Gain Control (자동 이득 제어)
▶ AI : Artificial Intelligence (인공 지능)
▶ AM : Amplitude Modulation (진폭 변조)
▶ AMP : Ampere (암페어)
▶ ANSI : American National Standard Institute (미국 규격협회)
▶ AP : Apparent Power (피상 전력)
▶ APF : Active Pass Filter (능동 필터)
▶ ARQ : Automatic Request Question (자동 오자 정정 장치)
▶ ARS : Automatic Route Selection (자동 경로 선택)
▶ ARU : Audio Response Unit (음성 응답 장치)
▶ ASIC : Application Specific IC (응용 주문형 집적회로)
▶ ASK : Amplitude Shift Keying (진폭 위상 변조)
▶ ASR : Automatic Send/Receive set(자동 송수신 장치)
▶ ATC : Automatic Train Control, Automatic Traffic Control (자동 열차 제어, 자동 교통 제어)
▶ AVM : Automatic Vehicle Monitoring system (차량 위치 모니터링 시스템)
▶ AVR : Automatic Voltage Regulator (자동 전압 조정기)
B
▶ BA : Bridging Amplifier (분기 증폭기)
▶ BAS : Building Automation System (빌딩 자동화 시스템)
▶ BSO : Bismuth Silicon Oxide (비스무트 규소 산화물)
▶ BTL : Balanced Transformerless (비티엘)
▶ BWO : Backward Wave Oscillator (후진파 발진관)
C
▶ CAD : Computer Aided Design (컴퓨터를 이용한 설계)
▶ CAE : Computer Aided Engineering (컴퓨터를 이용한 엔지니어링)
▶ CAI : Computer Aided Instruction (컴퓨터를 이용한 학습)
▶ CAL : Computer Aided Learning (컴퓨터를 이용한 학습)
▶ CALS : Commerce at Light Speed
▶ CAM : Computer Aided Manufacturing (컴퓨터를 이용한 제조)
▶ CAT : Computer Aided Testing, Computerized Axial Tomography (컴퓨터를 이용한 검사)
▶ CATV : Cable TV, Community Antenna TV (공동시청 TV)
▶ CAV : Constant Angular Velocity (정 각속도)
▶ CB : Citizen Band transceiver (생활 무선)
▶ CCD : Charge Coupled Device (전하 결합 소자)
▶ CCIR : International Radio Consultative Committee (국제 무선통신 자문 위원회)
▶ CCITT : International Telegraph and Telephone Consultative Committee (국제전신전화 자문위원회)
▶ CCNR : Current Controlled Negative Resistance (전류제한 負 저항)
▶ CCTV : Closed Circuit TV (폐쇄회로 TV)
▶ CD-ROM : Compact Disk Read Only Memory
▶ CDK : Communication Deck (회선 감시 장치)
▶ CDMA : Code Division Multiple Access (부호 분할 다중 접속)
▶ CDRX : Critical Damping Resistance External (임계 제동 외부저항)
▶ CDT : Cyclic Digital Transmission (사이클릭 디지털 정보 전송)
▶ CEP : Circular Error Probable (확률 오차원)
▶ CFF : Critical Fusion Frequency (임계 융합 주파수)
▶ CFRP : Carbonfiber Reinforced Plastics (탄소섬유 강화 플라스틱)
▶ CIE : Commission International de I'Eclairage (국제 조명 위원회)
▶ CIM : Computer Integrated Manufacturing (컴퓨터에 의한 통합 생산)
▶ CLV : Constant Linear Velocity (정 선속도 방식)
▶ CML : Current Mode Logic (전류 논리 모드)
▶ CMRR : Common Mode Rejection Ratio (동상 전압 제거비)
▶ CNC : Computer Numerical Control (컴퓨터 수치 제어)
▶ COAX : Coaxial Cable (동축 케이블)
▶ CODEC : COder-DECoder (부호기와 복호기)
▶ COHO : Coherent Oscillator (코히어런트 발진기)
▶ CRT : Cathode Ray Tube (음극선관)
▶ CSD : Constant Speed Drive unit (정속 구동장치)
▶ CSWR : Current Standing Wave Ratio (전류 정재파 비)
▶ CT : Current Transformer (계기용 변류기)
▶ CTD : Charge Transfer Logic (전하 전송 소자)
▶ CTL : Complementary Transistor Logic (상보 트랜지스터 논리)
▶ CTR : Critical Temperature Resistor (임계 온도 저항기)
▶ CVCF : Constant Voltage Constant Frequency (정전압 정주파 전원)
▶ CVD : Chemical Vapor Deposition method (화학 기상 성장법)
D
▶ DAC : Digital Analog Converter (디지털 아나로그 변환기)
▶ DAS : Distribution Automation System (배전자동화 시스템)
▶ dB : Decibel
▶ DC : Direct Current (직류)
▶ DCS : Distributed Control System (분산 제어 시스템)
▶ DDC : Direct Digital Control (직접 디지털 제어)
▶ DF : Dumping Factor (제동 계수)
▶ DG : Differential Gain (미분 이득)
▶ DG/DF : Differential Gain/Differential Phase (미분 이득/미분 위상)
▶ DH : Double Heterostructure (더블 헤테로 접합)
▶ DIN : Deutsches Institut fur Normung (독일 국가 규격)
▶ DNC : Direct Numerical Control (직접 수치 제어)
▶ DP : Differential Phase (미분 위상)
▶ DPCM : Differential Pulse Code Modulation (差分 펄스 부호 변조방식)
▶ DPSK : Differential Phase Shift Keying (差分 위상 시프트 키잉)
▶ DSM :Demand Side Management
▶ DSP : Digital Signal Processor (디지털 신호처리 장치)
▶ DVM : Digital Voltmeter (디지털 전압계)
▶ DYNAMO : Dynamic Model (다이나모, 연속 시스템 시뮬레이터의 하나)
E
▶ EBM : Electron Beam Machining (전자 빔 가공)
▶ EC : Electronic Commerce (전자 상거래)
▶ ECCS : Electronic Concentrated Engine Control System (전자 집중 엔진제어 시스템)
▶ ECG : Electrocardiogram (심전도)
▶ ECTL : Emitter Coupled Transistor Logic (이미터 트랜지스터 논리회로)
▶ EDM : Electrical Discharging Machining (방전 가공)
▶ EDR : Equivalent Direct Radiation (相當 방열 면적)
▶ EGE system : Engine 1, 2대를 구동하여 교류출력 발생 (무정전 전원장치의 한 방식)
▶ EG-MG system : Engine-Magnet(무정전 전원장치의 한 방식)
▶ EIA : Electronic Industrial Association (미국 전자 공업회)
▶ EIRP : Effective Isotropically Radiated Power(실효 등방 방사 전력)
▶ EL : Electroluminescence (전자 발광)
▶ EMC : Electromagnetic Compatibility (전자적 접합성)
▶ EMF : Electromotive Force (기전력)
▶ EMG system : EMG 방식 (Three Engine system)
▶ EMI : Electromagnetic Interference (전자기 방해)
▶ EMS : Energy Management System (중앙 급전 시스템)
▶ EPIRB : Emergency Position Indicating Radio Beacon (비상용 위치표시 무선장치)
▶ ERP : Effective Radiation Power (실효 방사 전력)
▶ ESP : Electron Spin Resonance (전자 스핀 공명)
▶ EWS : Engineering Workstation
F
▶ FA : Factory Automation (공장 자동화)
▶ FCI : Flux Changes per Inch (매 인치 당 자속 반전수)
▶ FD : Floppy Disk
▶ FDM : Frequency Division Multiplex communication (주파수 분할 다중 통신)
▶ FDMA : Frequency Division Multiplex Access (주파수 분할 다원 접속)
▶ FEC : Forward Error Correction (순방향 오류 정정법)
▶ FCC : Federal Communication Commission (미국 연방 통신 위원회)
▶ FET : Field Effect Transistor (전계 효과 트랜지스터)
▶ FG : Frame Ground (프레임 접지)
▶ FGA : Floating Gate Amplifier (부동 게이트 증폭기)
▶ FM : Frequency Modulation (주파수 변조)
▶ FMEA : Failure Mode Effect Analysis (고장 모드 효과 해석)
▶ FMS : Flexible Manufacturing System (다품종 소량 생산 시스템)
▶ FOT : Frequency of Optimum Traffic (최적 사용 주파수)
▶ FRP : Fiber glass Reinforced Plastics (유리섬유 강화 플라스틱)
▶ FSK : Frequency Shift Keying (주파수 편이 방식)
▶ FSS : Flying Spot Scanner (飛點 주사 장치)
▶ FTC : Fast Time-constant Circuit (소 시상수 회로)
▶ FTTH : Fiber to the Home
G
▶ Ga-As : Gallium Arsenide (갈륨 비소)
▶ GCA : Ground Control Approach (지상 관제 진입 장치)
▶ GCB : Gas Circuit Breaker (가스 차단기)
▶ GCR : Group Coded Recording (군 부호 기록)
▶ GCS : Gate Controlled Switch (게이트 제어 스위치)
▶ GGG : Godolinium Gallium Garnet (가돌리늄 갈륨 가닛, 갈륨의 일종)
▶ GIS : Gas Insulated Switchgear (가스 차단기)
▶ GND : Ground (갈륨 비소 부성 저항 다이오드)
▶ GPI : Ground Position Indicator (대지 위치 표시기)
▶ GPIB : General Purpose Interface Bus (범용 인터페이스 버스)
▶ GPS : Global Positioning System (범용 지구 측위 시스템)
▶ GPSS : General Purpose System Simulator (범용 시스템 시뮬레이터)
▶ GPTE : General Purpose Test Equipment (범용 시험 장치)
▶ GPWS : Ground Proximity Warning System (지상 접근 경보 장치)
▶ GSR : Grounding Short Circuit Relay (이상 지락 검출 계전기)
▶ G/T : Gain over Temperature (이득 초과 온도)
▶ GTO : Gate Turn Off thyristor (게이트 턴오프 사이리스터)
H
▶ HA : Home Automation (가정 자동화)
▶ HBT : Hetero Bipolar Transistor (헤테로바이폴라 트랜지스터)
▶ HDD : Hard Disk Drive
▶ HEMT : High Electron Mobility Transformer
▶ HF : High Frequency (고주파)
▶ HIC : Hybrid IC (혼성 집적 회로)
▶ Hi-Fi : High-Fidelity (고충실도)
▶ HMI : Human Machine Interface
▶ HTL : High Level Transistor (고수준 트랜지스터 논리)
▶ HUD : Headup Display
▶ Hz : Hertz
I
▶ IA : Isolation Amplifier (아이솔레이션 증폭기)
▶ IAEA : International Atomic Energy Association (국제원자력 기관)
▶ IAGC : Instantaneous Automatic Gain (순시 자동 이득 조절)
▶ IARU : International Amateur Radio Union (국제 아마츄어 무선협회)
▶ IBS : INTELSAT Business Service, Intelligent Building System
▶ ICT : Insulating Core Transformer (절연 철심 변압기)
▶ IDF : Intermediate Distributing Frame (중간 배선판)
▶ IE : Industrial Engineering (산업공학)
▶ IEC : International Electrotechnical Commission (국제 전기 표준 회의)
▶ IEEE : Institute of Electrical and Electronic Engineers (전기 전자 학회)
▶ IF : Intermediate Frequency (중간 주파수)
▶ IFRB : International Frequency Registration Board (국제 주파수 등록 위원회)
▶ IFT : Intermediate Frequency Transformer (중간 주파 트랜스)
▶ IGBT : Insulated Gate Bipolar Transistor (고전력 스위칭용 반도체)
▶ IGFET : Insulated Gate FET (절연 게이트 FET)
▶ ILD : Injection laser Diode (주입형 레이저 다이오드)
▶ IM : Induction Motor (유도 전동기), Integration Motor (적분 모터)
▶ INMARSAT : International Marine Satellite Consortium (국제 海事 위성 기구)
▶ INS : Inertial Navigation System (관성 항법 장치)
▶ IOCS : Input Output Control System (입출력 제어 시스템)
▶ IP : Integer Programming (정수 계획법), Information Provider (정보 제공자)
▶ IPL : Initial Program Loader (초기 프로그램 적재기)
▶ IR : Infrared (적외선)
▶ IRS : Inertial Reference System (관성 기준 장치)
▶ ISDN : Integrated Services Digital Broadcasting (종합 정보 통신망)
▶ ISO : International Organization for Standardization (국제 표준화 기구)
▶ ISU : International System of Units (국제 단위계)
▶ ITCG : International Telecommunication Convention Geneva (국제 전기 통신 조약)
▶ ITDM : Intelligent Time Division Multiplexing (지능 시분할 다중화)
▶ ITU : International Telecommunication Union (국제 전기 통신 연합)
▶ I²L : Integrated Injection Logic (직접 주입 논리 회로)
J
▶ JFET : Junction FET (접합형 FET)
▶ JIS : Japanese Industrial Standards (일본 공업 규격)
K
▶ KDP : Kalium Dihydrogen Phosphate (인산 2수소 칼륨)
▶ KODAS : Korea Distribution Automation System (한국형 배전자동화 시스템)
▶ KS : Korean Standards (한국 공업 규격)
▶ KSR : Keyboard Send/Receive set (건반 송수신 장치)
▶ KTN : Kalium Tantalum Niobate (칼륨 탄탈륨 니오브)
▶ kVA : Kilovolt Ampere
▶ kW : Kilowatt
▶ kWh : Kilowatt Hour
L
▶ LA : Laboratory Automation (실험실 자동화)
▶ LAN : Local Area Network (근거리 통신망)
▶ LANER : Light Activated Negative Emitter Resistance (래너, GND의 일종, 가시광선을 발광하는것)
▶ LAS : Light Activated Switch (광 스위치)
▶ LASCR : Light Activated Silicon Controlled Rectifier (광 SCR)
▶ LCD : Liquid Crystal Display (액정 표시 장치)
▶ LCU : Line Control Unit (회선 제어 유닛)
▶ LD : Laser Diode, Laser Disk
▶ LDV : Laser Doppler Velocimeter (레이저 도플러 속도계)
▶ LED : Light Emitting Diode (발광 다이오드)
▶ LF : Low Frequency (저주파)
▶ LID : Leadless Inverted Device (직결 반전 디바이스)
▶ LNA : Low Noise Amplifier (저잡음 증폭기)
▶ LSI : Large Scale Integration (대규모 집적 회로)
▶ LSTTL : Low power Shottky Transistor Transistor Logic
▶ LUF : Lowest Usable Frequency (최저 사용 주파수)
M
▶ MADT : Micro Alloy Diffused Transistor (마이크로 앨로이 확산형 트랜지스터), Mean Actual Down Town (평균 정지 시간)
▶ MAN : Medium Area Network (중규모 지역 통신망)
▶ MAP : Manufacturing Automation Protocol (제조 자동화 프로토콜)
▶ MBB Contact: Make Before Break Contact (MBB 접점)
▶ MBE : Molecular Beam Epitaxy (분자선 에피탁시)
▶ MCCB : Metal Clad Circuit Breaker
▶ MCSG : Metal Clad Switch-Gear
▶ MBM : Magnetic Bubble Memory (자기 버블 기억장치)
▶ MDF : Main Distribution Frame (주배선반)
▶ MDI : Magnetic Direction Indicator (자기 방향 지시기)
▶ MDS : Microcomputer Development System (마이크로 컴퓨터 개발 시스템)
▶ ME : Medical Electronics (의용 전자공학), Micro Electronics, Molecular Electronics
▶ MES-FET : Metal Semiconductor Field-Effect Transistor (금속반도체 효과 트랜지스터)
▶ MF : Medium Frequency wave (중파)
▶ MHD Generation : Magneto Hydrodynamics Generation (전자 유체 역학 발전)
▶ MICR : Magnetic Ink Character Reader (자기 잉크 문자 판독장치)
▶ MIS : Management Information System (경영 정보 시스템)
▶ MISIC : Metal Insulated Semiconductor IC (미스 IC, 금속 절연 반도체 집적 회로)
▶ MKS units : Meter Kilogram Second (MKS 단위계)
▶ MKSA : Meter Kilometer Second Ampere (MKS 단위계에 전류의 단위 암페어를 더한 전자기 단위)
▶ MMIC : Monolithic Microwave IC (모노리식 마이크로파 집적회로)
▶ MNOS : Metal Nitride Oxide Semiconductor (금속 질화 산화막 반도체)
▶ MOCVD : Organometallic Compound CVD (유기 금속 CVD법)
▶ MOS : Metal Oxide Semiconductor (금속 산화막 반도체)
▶ MOS FET : 금속 산화막 반도체 전계효과
▶ MPU : Microprocessor Unit
▶ MTBF : Mean Time Between Failure (평균 고장 간격 시간)
▶ MTE : Mean Time between Error (평균 오류시간)
▶ MTTF : Mean Time To Failure (평균 고장 시간)
▶ MTTR: Mean Time To Repair (평균 수리 시간)
▶ MUF : Maximum Usable Frequency (최고 사용 주파수)
▶ MUT : Mean Up Time (평균 동작 시간)
▶ MUX : Multiplex (다중화)
N
▶ n : Nano
▶ NTSC System: National Television System Committee System (NTSC TV 방송방식)
▶ NC : Numerical Control (수치 제어)
▶ NCU : Network Control Unit (망 제어 장치)
▶ NdPP : Neodymium Pentaphosphate (5인화 네노디움, 고능률 고체 레이저에 사용)
▶ NFB : No Fuse Breaker (배선용 차단기)
▶ NIS : National Information System (국가 정보 시스템)
▶ NMR : Nuclear Magnetic Resonance (핵 자기 공명)
▶ NRZ : Non Return to Zero (비 복귀기록)
▶ NRZI : Non Return to Zero Inverted (비 제로 복귀 반전)
O
▶ OA : Office Automation (사무 자동화)
▶ OBD : Optical Bistable Device (광2안정 소자)
▶ OCB : Oil Circuit Breaker (유입 차단기)
▶ OCR : Optical Character Recognition (광학식 문자인식)
▶ OCS : Operation Control System
▶ OEIC : Optoelectronics Integrated Circuit (광전자 집적 회로)
▶ OEM : Original Equipment Manufacturing (주문자 상표 부착 생산자)
▶ OF Cable : Oil Filled Cable
▶ OFT : Optical Fiber Tube (광 섬유관)
▶ OLTC : On Load Tap Changer (부하시 탭 전환장치, 변압기에 사용)
▶ OLTS : On Line Test System
▶ OLVR : On Load Voltage Regulator (부하시 전압조정기)
▶ OMR : Optical Mark Reader (광학식 마크 판독장치)
▶ OMS : Ovonic Memory Switch
▶ OPC : Organic Photoconductive Cell (유기 광도전체)
▶ OPT : Out Put Transformer (출력 변성기)
▶ OR : Operating Register (발진 레지스터)
▶ OT : Output Trunk (출력 트렁크)
▶ OTF : Optical Transfer Function (광학적 전달함수)
▶ OTL : Output Transformerless (무변성 출력)
▶ OCGR : Over Current Ground Relay (과전류 접지 계전기)
▶ OCR : Over Current Relay (과전류 계전기)
▶ OL : Over Load (과부하)
▶ OLR : Over Load Relay (과부하 계전기)
▶ OVR : Over Voltage Relay (과전압 계전기)
▶ OWF : Optimum Working Frequency (최적 주파수 사용)
P
▶ PABX : Private Automatic Exchanger (구내 자동 교환기)
▶ PAL system : Phase Alternating by Line system (PAL TV 방송방식)
▶ PAM : Pulse Amplitude Modulation (펄스 진폭 변조)
▶ PCB : Printed Circuit Board (프린트 배선 회로용 기판)
▶ PCM : Pulse Code Modulation (펄스 부호 변조)
▶ PCS : Punch Card System (천공 카드 시스템)
▶ PDM : Pulse Duration Modulation (펄스 지속 변조)
▶ PDP : Plasma Display Panel
▶ PE : Power Electronics
▶ PF : Power Factor (역률)
▶ pF : pico Farad (용량 단위)
▶ PFM : Pulse Frequency Modulation (펄스 주파수 변조)
▶ PHS : Personal Handyphone System
▶ PIV : Peak Inverse Voltage (피크 역전압)
▶ PLC : Programmable Logic Controller
▶ PM : Phase Modulation (위상 변조)
▶ PNM : Pulse Number Modulation (펄스수 변조)
▶ PT : Potential Transformer (계기용 변압기)
▶ PPM : Pulse Phase Modulation (펄스 위상 변조)
▶ PR : Protective Ratio (보호비)
▶ PSK : Phase Shift Keying (위상 偏移 방식)
▶ PTM : Pulse Time Modulation (펄스 시간 변조)
▶ PWM : Pulse Width Modulation (펄스 폭 변조)
Q
▶ QAM : Quadrature Amplitude Modulation (직교 진폭 변조)
▶ QED : Quantum Electro Dynamics (양자 전자기학)
R
▶ RAM : Read Access Memory
▶ RCTL : Resistor Condenser Transistor Logic (저항 콘덴서 트랜지스터 논리회로)
▶ RDF : Radio Direction Finder (무선 방위 측정기)
▶ RF : Radio Frequency (무선 주파수)
▶ RIF : Radio Influence Field (무선 유도계)
▶ RMI : Radio Magnetic Indicator (무선 자기 방위 지시장치)
▶ RMS value : Root Mean Square value (실효값)
▶ ROM : Read Only Memory
▶ RTCF : Real Time Control Facility (실시간 처리기능)
▶ RTL : Resistor Transistor Logic (저항 트랜지스터 논리회로)
▶ RTS : Request To Send (송신 요구)
S
▶ SAMOS : Stacked Avalanche Injection MOS (사모스)
▶ SAW : Surface Acoustic Wave (찬성 표면파)
▶ SCADA : Supervisory Control & Data Acquisition (지역 급전 시스템)
▶ SCL transistor : Space Charge Limited transistor
▶ SCR : Silicon Controlled Rectifier (실리콘 제어 정류기)
▶ SCS : Silicon Controlled Switch (실리콘 제어 스위치)
▶ SEC : Secondary Electron Conduction (2차 전자 도전작용)
▶ SI : System Integration
▶ SiC : Silicon Carbide (탄화 규소)
▶ SIP : Single In-line Package
▶ SIT : Silicon Intensifier Target tube (SIT 관), Static Induction Transistor (정전유도형 트랜지스터)
▶ SOI : Semiconductor On Insulator (절연 기판상의 반도체)
▶ SPST : Single Pole Single Throw (단극 단투 개폐기)
▶ SQUID : Super Conducting Quantum Interference Device (스퀴드)
▶ S/S : Substation (변전소)
▶ SS cable : Self Supporting cable (자기지지형 가공 케이블)
▶ SSG : Standard Signal Generator (표준신호 발생기)
▶ SSPG : Spread Solar Power Generator (위성 태양 발전)
▶ STC : Sensitivity Time Control (감도의 시간 조정)
T
▶ TBC : Time Base Correction (시간축 교정장치)
▶ TC : Transmission Control (전송제어)
▶ TCM : Time Compression Multiplexing (시분할 방향 제어 전송방식)
▶ TCU : Transmission Control Unit (전송제어장치)
▶ TD : Transmitter Distributor (자동 송신기)
▶ TDM : Time Division Multiplex (시분할 다중방식)
▶ TDMA : Time Division Multiple Access (시분할 다원 접속)
▶ TED : Transfer Electron Device
▶ TFT : Thin Film Transistor (박막 트랜지스터)
▶ TG : Turbine Generator (터빈 발전기)
▶ TGC : Triglycine Sulfate (황산 트리글리신)
▶ TGS : Triglysine Sulphate (황산 트리글리신)
▶ TSC : Thermally Stimulated Current (열자극 전류)
▶ TSI : Threshold Signal to Interface ratio (임계신호 대 방해 신호비), Time Slot Interchange (타임 슬롯 교환)
▶ TSL : Three State Logic
▶ TSS : Time Sharing System (시분할 방식)
▶ TTL : Transistor Transistor Logic
▶ TWT : Travelling Wave Tube (진행파관)
U
▶ UHF : Ultra High Frequency (극초단파)
▶ UJT : Uni-Junction Transistor (단접합 트랜지스터)
▶ UPS : Uninterruptible Power Supply (무정전 전원장치)
V
▶ VAC : Volts Alternating Current (교류전압)
▶ VCB : Vacuum Circuit Breaker (진공 차단기)
▶ VEF : Vacuum Electric Furnace (진공 전기로)
▶ VI : Vacuum Interrupter (진공 인터럽터)
▶ VPI : Vacuum Pressure Impregnation (진공함침)
▶ VAN : Value Added Network (부가가치 통신망)
▶ VVVF : Variable Voltage Variable Frequency (가변 전압 가변 주파수)
▶ VCM : Voice Coil Motor
▶ VCO : Voltage Controlled Oscillator (전압제어 발진기)
▶ VDT : Visual Display Terminal (영상 표시 단말장치)
▶ VF Converter : Voltage Frequency Converter (전압 주파수 변환기)
▶ VFD : Visual Fluorescent Display (가시형광 표시장치)
▶ VFO : Variable Frequency Oscillator (가변 주파수 발진기)
▶ VHF : Very High Frequency (초단파)
▶ VRS : Video Response System (화상 응답 시스템)
▶ VSB : Vestigial Side Band (잔류 측파대)
▶ VSWR : Voltage Standing Wave Ratio (전압 정재파비)
▶ VTVM : Vacuum Tube Volt Meter (진공관 전압계)
▶ VU : Volume Unit (음량 단위)
W
▶ WAN : Wide Added Network (광역 통신망)
▶ WDM : Wavelength Division Multiplexing (파장 다중 분할)
X
▶ XMT : Transmit (송신)
▶ XUV : Extreme Ultraviolet radiation (극자외선)
Y
▶ YAG : Yttrium Aluminum Garnet (이트륨 알루미늄 가닛)
▶ YIG : Yttrium Iron Garnet (이트륨 철 가닛)
Pasted from <http://chemeng.co.kr/site/bbs/board.php?bo_table=xstudy5&wr_id=2&page=>
'제어 및 operation' 카테고리의 다른 글
| 배선내 Line loss (0) | 2016.10.24 |
|---|---|
| Ohm's Law (0) | 2016.10.24 |
| 전기기초 이론정리 (0) | 2016.10.24 |
| 통신 이야기 (0) | 2016.09.22 |
| PLC 기초 해설 (0) | 2016.09.22 |
전기기초 이론정리
전기기초 이론 정리
○ 출력
전동기의 축에서 낼 수 있는 동력, 즉 출력(output)이 어느 정도인가를 와트(W)
또는 킬로와트(KW)의 단위로 나타낸다.
출력은 단위 시간에 전동기가 할 수 있는 일의 양을 나타내는 것으로 1W는 1초간에
1m 1주울(J) =1[N·m) = 1/9.8(kgf·m)의 일을 하는 능력을 나타낸다.
1W의 전동기는 1뉴턴 (N) (1/9.8kgf)의 힘에 저항하면서 물체를 1초간에 1m의
비율로 계속 움직일 수 있는 능력이 있다. 1 (Hp) = 746 (W) 이다.
○ 부하
▷ 전부하 : 정격 출력의 상태
▷ 무부하 : 공회전 상태
▷ 과부하 : 정격 출력 이상의 상태
○ 유효전력[W]
전원에서 공급되어 부하에서 유효하게 이용되는 전력, 전원에서 부하로 실제
소비되는 전력
▷ 유효, 피상전류에 따른 계산
유효전력[P] = 전압[V] x 유효전류[I]
유효전력[P] = 전압[V] x 피상전류[I] x 역률[%]
▷ 직류, 교류에 따른 계산
직류전동기 전력(P) = 전압 (V) * 전류(I)
교류전동기 전력(P) = 전압 (V) * 전류(I) * 역률 (cosφ)
▷ 단상, 3상에 따른 계산
단상의 전동기 유효전력
P [W] = V * I * cosφ
P : 유효전력
V : 정격 전압 (V)
I : 정격 전류 (A)
cosφ : 정격 전류일 때의 역률(퍼 유니트값)
3상 교류의 전동기 유효전력
P [W] = 3 * Vφ * Iφ * cosφ = √(3) * V * I * cosφ
V : 정격 전압 (V), Vφ : 상전압 (v)
I : 정격 전류 (A), Iφ : 상전류 (i)
cosφ : 정격 전류일 때의 역률(퍼 유니트값)
○ 무효전력[Var]
실제로는 아무런 일을 하지않아 부하에서는 전력으로 이용될 수 없는 전력,
실제로 아무런 일도 할 수 없는 전력.
인가 전압과 위상이 90°다른 전류. 이 전류는 실제로 전력을 형성하지 않으므로
무효 전력이라고 한다.
▷ 단상, 3상에 따른 계산
단상의 전동기 무효전력
Pr [VAR] = V * I * sinθ
Pr : 무효전력
V : 정격 전압 (V)
I : 정격 전류 (A)
3상 교류의 전동기 무효전력
Pr [W] = √(3) * V * I * sinθ
V : 정격 전압 (V)
I : 정격 전류 (A)
○ 피상전류 [VA]
일반적으로 전기 기기에는 유효전류와 무효전류가 함께 흐르고 있으며 이들의
합을 말한다.
- 유효·무효·피상전력 사이의 관계 : Pe = √(P^2 + Pr^2)
P : 유효전력
Pr : 무효전력
Pe : 피상전력
※ 삼각함수에서 sinθ^2 + cosθ^2 = 1
○ 역률
피상 전력 중에서 유효전력으로 사용되는 비율, 역률은 최고가 1이고 최저는 0이다.
전열기나 백열전구와 같이 전기에너지를 열에너지로 바꾸는 것에서는 역률은 1임
역률[%] = 유효전력[KW] / 피상전력[KVA]
cos θ = P / Pe = (V * I * cos θ) / (V * I)
* φ : 위상각의 차이
피상전류(KVA) = √(3) * V * I = 유효전류(P) / cosφ
○ 전력손실
따라서 역률(cosθ)이 증가함에 따라 설비용량이 적어지며, 변압기에서 공급
되는 부하는 증가한다. 동력선에서의 전력손실(△p)은 다음식으로 계산한다.
△p = K * 1 / cosφ^2 (@ K : 비례상수)
○ 전압강하
역률(cosθ)이 증가하면 전력손실 (Joule Effect)이 현저하게 감소하는 것이
즉각 확인된다.
그러므로 시설비는 적게 들고 설비의 수명은 길어진다.
전압강하 (△V)는 다음식으로 계산한다.
△V = K1 * 1 / cosφ^2 (@ K1 : 비례상수)
○ 효 율
입력 모두가 모두 출력으로 바뀌는 것이 아니라 입력의 일부는 전동기 내에서
손실로서 소비되고, 그 나머지가 출력으로서 나오게 된다. 효율은 출력과 입력의
비로 표시된다
η= Po / Pi (퍼 유너트값)
Pi = 입력
W = 손실
η = 효율
손실은 전동기가 운전중에 가열되는 원인이 된다. 출력과 입력의 관계의 정리
이상 설명한 것을 요약하면,
▷ 단상 유도 전동기의 출력 Po = ηPi = VIηcosφ
▷ 3상 유도 전동기의 출력 Po = ηPi = √3 VIηcos φ
○ 회전속도 슬립
전동기가 정격 전압, 정격주파수하에서 정격출력을 내면서 운전하고 있을
때의 매분의 회전수를 정격회전속도라고 한다 (RPM = Revolution Per Min)
전동기의 내부에는 몇 개의 자극이 형성되는데 1쌍의 자극이 생기는 것을
2극, 2쌍의 자극이 생기는 것을 4극, 3쌍의 자극이 생기는 것을 6극이라 한다.
3상 권선에 3상 교류를 흘리면 극수에 따라 자극이 생기고, 이것이 전류의
교번과 더불어 회전한다.
이와 같이 코일이 정지하고 있고, 자극만이 회전하는 것을 회전자장이라고
부른다. 이회전 자장은 반사이클 마다 다음의 극으로 이동하기 때문에 자장이
회전하는 동기 속도는
Ns= 120 f / P (rpm)
f = 주파수 (Hz)
P = 극수
유도 전동기는 무부하에서는 거의 Ns와 같은속도로 회전자가 회전하지만, 부하를
걸면 회전속도가 수% 정도 느려진다. 이것을 슬립 (slip) 이라고 한다.
예를들면 p = 4, f = 60 (Hz)이면 동기 속도는
Ns =120×60/4 = 1800(rpm),
정격 회전 속도 1720 RPM (220V의 경우)이므로 슬립은
Slip= (1800-1720) / 1800 = 0.044
즉, 4.4% 이다.
Pasted from <http://chemeng.co.kr/site/bbs/board.php?bo_table=xstudy5&wr_id=1>
Relief밸브와 안전밸브의 차이점
# Relief밸브와 안전밸브의 차이점#
1. Relief valve
-.액체의 취급시 사용
-.배출된 액체는 저장tank와 펌프 흡입측으로 되돌리지며 직접 밖으로 배출되지 않는다.
-.밸브 개방은 초과 압력의 증가량에 비례한다.
-.설정압력에서 개방되며 25%과압에서 완전개방, 압력이 설정압력으로 복귀되면 닫힌다.
-.설정된 압력 바로 밑에서 작동되도록 사용자 압력을 조정해서 사용한다.
-.펌프의 순환배관상에 설치되는 밸브다.
-.펌프의 체절압력 미만의 압력에서 개방, 작동한다.
2. 안전밸브
-.스팀,가스,증기의 취급시 사용된다.
-.설정압력 초과시 순간적으로 완전개방및 POP ACTION을 한다.
-.과압이 제거된 후 밸브는 설정압력보다 4%낮게 재설정된다.
-.보통밸브는 4%의 BLOW DOWN을 지니고 있다.
-.배압(back pressure)의 영향에 따라 두가지로 나눈다.
1)conventional spring type
2)balanced type(Bellows type, Piston type)
3. Safety Relief valve
-.액체, 기체 취급시 사용한다.
-.중간정도의 속도로 개방한다.
구분 | 작동형태 | 용도 |
안전밸브 | 순간적으로개방 | 스팀,공기,가스 |
Relief밸브 | 압력증가에 따라 서서히 개방 | 액체 |
Safety-Relief밸브 | 중간정도 속도로개방 | 가스, 증기및 액체 |
>안전변(safty valve)와 릴리프밸브(relief valve)가 서로 다르다고 하네요..
>
> 구조하고 쓰임새가 어떻게 다른지 설명좀해주세요
>
1. 안전밸브의 유형별 구분
(1) Relief Valve
작동형태가 압력증가에 따라 서서히 개방되는 Valve로서 액체에 이용된다.
(2) Safety Valve
작동형태가 순간적으로 개방되는 것으로 스팀, 공기, 가스에 이용된다.
(3) Safety Relief Valve
Relief valve와 Safety 밸브의 중간정도의 속도로 개방되는 밸브로 가스, 증기, 액체에 이용된다.
2. 안전밸브 종류별 특성
(1) Relief Valve
가. 액체의 취급시 사용된다.
나. 배출된 액체는 저장탱크와 펌프 흡입측으로 되돌려지며, 직접밖으로 배출되지 않는다.
다. 밸브 개방은 초과압력의 증가량에 비례한다.
라. 설정압력에서 개방되며 25% 과압에서 완전개방, 압력이 설정압력으로 복귀되면 닫힌다.
(2) Safety Valve
가. 스팀, 가스, 증기의 취급시 사용된다.
나. 설정압력 초과시 순간적으로 완전개방 및 Pop action을 한다.
다. 과압이 제거된 후 밸브는 설정압력보다 4% 낮게 재설정된다.
- 보통밸브는 4%의 blowdown을 가지고 있다.
라.배압(backpressure)의 영향에 따라 두가지가 있다.
i) Conventional spring type
ii) Balanced type (bellows type, piston type)
(3) Safety Relief Valve
가. 액체, 기체 취급시 사용된다.
나. 개방압력이 중간정도 이다.
1. 안전변
안전변의 설정압력은 대기압을 기준으로 하는 게이지 압력으로 표시하는데(대기압 = 0), 이는 대부분의 안전변 정지 배압이 대기압이기 때문입니다. 하지만 정지 배압이 대기압보다 큰 경우, 냉각 상태에서의 시험에 의해 결정되는 스프링 설정 압력(Spring Setting)과 정지 배압의 합이 안전변의 실제 설정 압력이 됩니다. 즉 안전변의 스프링 설정 압력이 100 kg/cm2g 이고 정지 압력이 3 kg/cm2g 인 경우, 안전변이 실제로 작동하는 압력은 103 kg/cm2g입니다.
이러한 이유 때문에 정지 압력이 변하는 경우에는 안전변의 작동 압력이 일정하지 않아 안전변으로서의 역할을 할 수 없으므로, 일반 안전변 대신에 주름관(Bellow) 형식의 안전변을 사용합니다. 주름관 형식 안전변은, 안전변의 판봉(Disk Stem)을 주름관으로 싸서, 판의 뒷면에 배압이 걸리지 않도록 함으로써, 배압의 영향을 받지 않고 단지 판 전면에 작용하는 압력 용기의 운전 압력에 의해서만 작동되도록 제작한 안전변입니다.
안전변의 배압은 정지 배압(Superimposed Back Pressure)과 운전 배압(Built-up Back Pressure)의 2가지로 분류되며, 안전변의 배압은 안전변의 설정 압력(Set Pressure)과 용량(Capacity)에 영향을 미칩니다.
정지 배압이란 안전변이 닫혀 있는 상태에서 걸리는 배압으로, 안전변의 설정 압력에 영향을 미치며, 운전 배압이란 안전변이 증기를 배출하는 상태에서 배출 계통의 마찰 손실에 의해 걸리는 배압으로, 안전변의 용량에 영향을 미칩니다.
대기 중으로 단독 배출하는 경우의 정지 배압은 대기압이지만, 여러 개의 안전변이 하나의 공통 배관을 통해 배출되는 경우, 다른 안전변이 작동 중일 때의 정지 배압은 대기압보다 커지며, 또 배압이 시간에 따라 변할 수 있습니다.
여기서 한가지 유의할 점은, 안전변의 배압은 제작자의 공급 범위인 안전변 출구 프랜지(Flange)에서의 배압을 의미하지, 토출 곡관(Discharge Elbow) 출구 배압을 의미하진 않는다는 것을 유의해야 합니다.
1) 안전변의 작동 압력 ( OPERATING PRESSURE)을 결정하는 것은 3가지 압력조건이 있으며 이것은 안전변의 작동이 3가지로 구분하여 작동된다는 의미임.
( 제1단계) 취시압력 단계
LINE의 압력이 일정압력(설정압력)이 되면 안전을 위해 안전변이 열리기 시작하는 작동을 하여야 함.
→ 취시압력 ( 불기시작하는 압력: BLOW START PRESSURE)
* 이것은 설정압력 ( SETTING PRESSURE ) 과 동일함
( 제2 단계) 취출압력 단계
안전변이 작동하여 압력이 빠져나가도록 작동하는 최대압력
→ 취출압력 ( 안전변에서 빠져나가는 압력 : BLOW OUT PRESSURE)
* 상기 취시압력의 1.1 배 이하의 압력까지만 빠져나감
( 제3단계 ) 취지압력 단계
안전변이 작동하여 압력이 빠져나가면 LINE 의 압력이 떨어지므로 안전변을 닫아야 하는 작동을 함
→ 취지압력 ( 안전변이 압력을 빼는 것을 멈추는 압력 BLOW STOP PRESSURE )
* 상기 취시압력의 0.8배이상시 안전변의 작동 정지 함
2. 릴리프밸브(Relief valve)
- 액체의 취급시 사용
- 배출된 액체는 저장tank와 펌프 흡입측으로 되돌리지며 직접 밖으로 배출되지 않는다.
- 밸브 개방은 초과 압력의 증가량에 비례한다.
- 설정압력에서 개방되며 25%과압에서 완전개방, 압력이 설정압력으로 복귀되면 닫힌다.
- 설정된 압력 바로 밑에서 작동되도록 사용자 압력을 조정해서 사용한다.
- 펌프의 순환배관상에 설치되는 밸브다.
- 펌프의 체절압력 미만의 압력에서 개방, 작동한다.
'관련기술' 카테고리의 다른 글
| 드라이크리닝 (0) | 2016.10.24 |
|---|---|
| 리튬이온 전지 (0) | 2016.10.24 |
| 주요 고무원료 특성 및 종류 (0) | 2016.10.24 |
| 에어벨브 공압 기호 (0) | 2016.10.24 |
| Zeolite (0) | 2016.10.24 |
복합열전달(Conjugate Heat Transfer)해석
0 Comments/in blog /by altsoft
이번 게시물은 복합열전달의 개념에 대해 설명하고 몇 개의 응용분야를 보여줄 것 입니다. 복합열전달은 고체와 유체에서의 열전달, 즉 전도와 대류가 조합된 것을 말합니다. 이는 여러 상황에서 살펴볼 수 있는데, 예를 들어 heat sinks 주변 유체에서의 대류와 고체에서의 전도에 의한 열 전달이 함께 계산되어 냉각 성능에 대한 평가를 하는 경우가 있습니다.
Heat Transfer by Solids and Fluids Heat Transfer in a Solid
고체에서 열전달이 전도에 의해서만 발생한다면, 온도 구배에 비례하는 전도성 열유속(conductive heat flux) q로 정의된 푸리에 법칙으로 설명할 수 있습니다:
시간 해석 문제의 경우, 움직이지 않는 고체의 온도 분포는 다음과 같은 열 방정식으로 확인할 수 있습니다:
Heat Transfer in a Fluid
유체에서의 열전달은 유체 유동으로 인해 열 방정식에 다음과 같은 3가지 영향이 포함되어 있습니다.
1. 유체의 이동은 대류에 기여하여 열 방정식에 나타나는 에너지 이동을 의미합니다. 유체와 유동 영역의 열적 특성에 따라서 전도 또는 대류 열전달이 중요하게 됩니다.
2. 유체 유동에서 점성으로 인해 유체가 가열이 됩니다. 이러한 열은 보통 무시해도 될 정도로 매우 작지만, 점성 유체가 빠르게 흐를 경우에는 중요해집니다.
3. 유체 밀도가 온도에 의해 변한다면 압력 일(pressure work)은 열 방정식에 영향을 주게 됩니다. 예를 들어 공기를 압축하면 열이 발생하는 잘 알려진 현상을 설명할 수 있습니다.
이 3가지 영향들에 전도를 포함하는 유체에서의 온도 분포를 위한 과도 열 방정식(transient heat equation )은 아래와 같습니다:
Conjugate Heat Transfer Applications Effective Heat Transfer
유체와 고체의 열전달을 결합하는 것은 효과적인 냉각기, 히터, 열교환기를 설계하는데 있어 중요합니다.
유체는 일반적으로 긴 거리에 대한 에너지 운반체 역할을 합니다. 강제 대류는 높은 열 전달율을 얻는 가장 일반적인 방법입니다. 일부 분야에서는 상변화(예를들어 액체 물에서 증기로의 상변화)와 대류가 결합되어 열전달 성능을 더욱 향상시키기도 합니다.
열교환기에서는 고온의 유체와 저온의 유체가 혼합되지 않도록 분리시켜주는 고체가 필요한데, 이 고체를 사이에 두고 서로 에너지를 교환합니다.
얇은 금속 벽에 의해 분리 된 두 유체 사이의 열 전달을 보여주는 관식 열 교환기에서의 유동과 온도 분포.
Heat sink는 일반적으로 구리 또는 알루미늄과 같은 높은 열 전도율을 가진 금속으로 만들어집니다. 이 heat sink는 고체의 표면과 주변 유체 사이에서 열이 교환되는 면적을 증가시켜 방출시킵니다. 그러나 열이 교환되는 면적을 너무 증가시켜 핀간의 간격이 좁아지게 되면 도리어 유체의 흐름을 방해하게 되어 냉각 효율이 떨어질 수 있습니다.
팬과 구멍 뚫린 그릴을 통해 들어오는 공기 유동에 의해 냉각되는 전원 공급 장치에서의 온도 분포. 두 알루미늄 핀은 유체와 전자기 부품간의 열 교환 면적을 증가시키기 위해서 사용됩니다.
Energy Savings
유체와 고체에서의 열 전달은 다양한 장치에서 열 손실을 최소화 하기 위해 결합될 수 있습니다. 대부분의 기체(특히 낮은 압력)는 작은 열 전도율을 가지기 때문에 열적 단열체(유동이 없다고 가정)로서 사용됩니다. 보통 기체는 가볍기 때문에 다른 물질보다 선호됩니다. 어떤 경우에는 자연 대류의 영향을 줄임으로써 대류에 의한 열전달을 제한하는데, 적절한 벽의 위치와 작은 구멍을 사용하여 자연 대류를 제어합니다. 마이크로 스케일에 적용되는 경우, 발포제(e.g. 폴리우레탄)안에 공기의 작은 공동(기포)를 포함시키는 단열 형태가 있는데 이것은 기포가 포함된 만큼 가벼워지지만 이 기포가 열이 이동하는 것에 영향을 미쳐 더 높은 단열 성능을 가질 수 있습니다.
창문 틀의 단면(왼쪽)과 단면의 확대(오른쪽)
ISO 10077-2:2012 에서 창문 프레임과 유리창의 단면의 온도 분포 (창문의 단열 성능).
Fluid and Solid Interactions Fluid/Solid Interface
유체/고체 계면(interface)에서 온도와 열 유속(heat flux)은 연속성을 가지고 있습니다. 그러나 유체의 흐름이 있는 곳에서는 온도 분포가 빠르게 변할 수 있습니다: 고체에 가까울수록 유체의 온도는 고체 온도에 근접하게 되고, 멀어질수록 입구 또는 주변 유체 온도에 근접하게 됩니다. 고체 온도에서 유체 포용 온도(bulk temperature)로 변하는 유체 온도 구간을 열 경계층(thermal boundary layer)이라고 합니다. 열 경계층과 운동량 경계층(momentum boundary layer)간에 상대적인 크기는 프란틀 수(P_r= (C_p μ)/k)에 의해 결정됩니다: 프란틀 수(Prandtl number)가 1일 경우, 열과 운동량 경계층 두께는 같습니다. 프란틀 수(Prandtl number)가 1보다 클 경우 운동량 경계층이 더 두껍고, 반대의 경우 열 경계층이 더 두껍다는 것을 의미합니다. 섭씨 20도의 대기압에서 공기는 프란틀 수(Prandtl number)가 0.7입니다. 공기이기 때문에 운동량과 열 경계층의 크기는 비슷하지만 운동량 경계층은 열 경계층보다 약간 얇습니다. 섭씨 20도인 물인 경우에 프란들 수(Prandtl number)는 7입니다. 그러므로 물에서 벽 근처에서의 온도 변화는 속도 변화보다 더 급격하다는 것을 의미합니다.
차가운 고체 벽 근처 공기의 자연 대류에 의한 온도(빨간색)와 속도(파란색) 프로파일
Natural Convection
자연대류는 부력에 의해 유동이 발생하는 것을 말합니다. 예상되는 열 성능에 따라, 자연 대류를 고려하거나(e.g. 냉각 분야), 무시(e.g. 단열층에서의 자연대류)할 수 있습니다. Ra로 표기되는 레일리 수(Rayleigh number)는 유체 중의 온도기울기가 어떤 값이 되면 자연 대류가 발생하는지 여부를 표현한 무차원 수입니다. 레일리 수(Rayleigh number)는 유체 물질의 물성값, 특성 길이 L, 온도차 ∆T(보통 고체와 주변 유체간의 온도차이)로 정의됩니다:
레일리 수(Rayleigh number)는
같이 프란틀과 그라쇼프 수로도 표현할 수 있습니다.
그라쇼프 수(Grashof number)는 부력과 점성력의 비로 표현되는 무차원 수입니다.
레일리 수가 작을 때(보통 103보다 작을 때), 대류는 무시되고 유체에서의 열전달은 대부분 전도에 의해 발생합니다.
레일리 수가 큰 경우, 대류에 의한 열전달을 고려해야 합니다. 부력이 점성력보다 크면 난류가 되고 그 외 영역은 층류가 됩니다. 층류와 난류 사이에 유동이 변하는 영역은 그라쇼프 수의 임계값은 109입니다.
열 경계층은
값이 1 또는 1보다 클 때, 고체 벽면과 주변 유체 사이에 온도가 변하는 영역을 보통 거리로 나타내는데,
의 식을 통해 근사값을 얻을 수 있습니다.
물컵 안의 차가운 물이 뜨거운 표면과 접촉하여 발생하는 자연대류에 의한 온도 분포
Forced Convection
강제 대류는 부력에 의한 외부 환경(e.g. 바람) 또는 장치(e.g. 팬, 펌프)에 의한 유동에 해당합니다. 이 경우 유동 영역은 등온 유동과 비슷하고 레이놀즈 수(Reynolds number)
를 사용하여 특성화될 수 있습니다. 레이놀즈 수는 점성력에 대한 관성력의 비로 표현됩니다. 낮은 레이놀즈 수는 점성력이 지배적이고 층류에서 관찰할 수 있습니다. 높은 레이놀즈 수에서는 시스템에서 댐핑이 매우 작고 작은 유동 교란이 발생됩니다. 만약 레이놀즈 수가 충분히 높다면 유동장이 난류 영역으로 바뀌게 됩니다. 레이놀즈 수를 사용하면
로 운동 경계층 두께를 계산할 수 있습니다.
강제대류에 의한 냉각에서 heat sink 주변의 유선과 온도 분포.
Radiative Heat Transfer
복사 열 전달은 위에서 설명한 전도와 대류 열 전달과 함께 사용할 수 있습니다. 대부분 응용분야에서의 열 복사 에너지는 유체에서는 통과되고, 고체에서는 통과되지 않습니다. 결과적으로 복사에 의한 열전달은 투명한 물질을 통과하여 고체 벽들 간에 전달되는 에너지로 설명됩니다. 회색 표면에 분산되어 방출되는 방사 열 유속(radiative heat flux)은
와 동일합니다. 표면이 균일한 온도
로 둘러싸인 경우, 방사 열 유속(radiative heat flux)은
입니다. 다른 온도로 표면이 둘러 쌓여있을 때 표면들간에 교환은 표면의 view factor에 의해 결정됩니다. 또한 유체와 고체 둘 다 투과성 또는 반투과성이 될 수 있습니다. 그래서 복사는 유체와 고체에서 발생될 수 있습니다. 매체(또는 반투과성)에서 복사 광선은 (유체 또는 고체) 매개체와 상호 작용을 하여 흡수, 방출, 산란 복사를 합니다. 복사 열 전달은 작은 온도 차이와 낮은 방사율을 가진 응용분야에서 무시 될 수 있는 반면 큰 온도 차이와 높은 방사율을 가진 응용분야에서는 중요한 역할을 합니다.
표면 방사율이 0(왼쪽)과 0.9(오른쪽)인 heat sink에서의 온도 분포 비교
일반적으로 복사 열전달 해석 시 파장에 대한 영향을 무시합니다. 그러나 실제로 파장대별로 흡수 또는 방사율이 다릅니다. 예를 들어 태양 복사 에너지의 경우 2.5um 파장을 기준으로 이보다 작으면 흡수되고, 2.5um 이상의 파장으로 표면에서 방사가 됩니다. 이것을 이용하면 다수의 파장대를 고려하여 복사 열전달을 해석할 때 유용하게 사용될 수 있습니다.
태양 복사의 흡수와 주변으로의 방사
Heat and Energy Balance
유체와 고체에서의 전도, 대류, 복사 열전달 현상은 열역학 1법칙인 에너지 보존 법칙을 따르게 됩니다. 예를 들어 고체에서 전도에 의해 열이 전달될 경우, 열 에너지에 의해 내부 에너지가 변화되는 양과 외부로 빠져나가는 양은 가열이 되는 열량과 같게 됩니다. 이것을 아래와 같은 관계식으로 표현할 수 있습니다.
여기에 유체 유동에 의한 대류 열전달이 포함을 한다면 아래와 같이 표현할 수 있습니다.
Conclusion
고체와 유체의 열 전달은 대다수 응용분야에서 함께 사용합니다. 두 개의 열 전달을 함께 사용하는 이유는 일반적으로 고체는 유체 속에 있고, 그 고체 주변으로 유체가 흐르기 때문입니다. 열 전달, 물성값, 유동 영역, 형상에 대한 정확한 이해는 온도 분포와 열 전달 해석을 가능하게 합니다. 또한 이러한 이해는 복합열전달 효과를 예측하거나 주어진 응용분야에서 열 전달 성능을 향상 시키기 위한 수치 시뮬레이션의 시작입니다.
Notations
: 정압 비열(SI unit: J/kg/K)
: 중력 가속도(SI unit: m/s2)
: Grashof number (무차원 수)
: 열 전도율(SI unit: W/m/K)
: 특성 길이(SI unit: m)
: 굴절률(무차원 수)
: 절대 압력(SI unit: Pa)
: Prandtl number (무차원 수)
: 열유속(SI unit: W/m2)
: 열원(SI unit: W/m3)
: Rayleigh number (무차원 수)
: 면형률 텐서(SI unit: 1/s)
: 온도 장 (SI unit:K)
: 주변 온도 (SI unit: K)
: 속도 장 (SI unit: m/s)
: 속도 (SI unit: m/s)
: 열 팽창 계수(SI unit: 1/K)
: 운동 경계층 두께(SI unit: m)
: 열 층 두께(SI unit: m)
: 특성 온도 차(SI unit: K)
: 표면 방사율(dimensionless number)
: 밀도 (SI unit: kg/m3)
: 스테판-볼츠만 상수 (SI unit: W/m2T4)
: 점성 응력 텐서 (SI unit: N/m2)
2 페이지
2015년 10월 4일 일요일
오후 1:32
3 페이지
2015년 10월 4일 일요일
오후 1:32
4 페이지
2015년 10월 4일 일요일
오후 1:32
5 페이지
2015년 10월 4일 일요일
오후 1:32
6 페이지
2015년 10월 4일 일요일
오후 1:32
7 페이지
2015년 10월 4일 일요일
오후 1:32
8 페이지
2015년 10월 4일 일요일
오후 1:32
9 페이지
2015년 10월 4일 일요일
오후 1:32
10 페이지
2015년 10월 4일 일요일
오후 1:32
11 페이지
2015년 10월 4일 일요일
오후 1:32
12 페이지
2015년 10월 4일 일요일
오후 1:32
13 페이지
2015년 10월 4일 일요일
오후 1:32
14 페이지
2015년 10월 4일 일요일
오후 1:32
15 페이지
2015년 10월 4일 일요일
오후 1:32
16 페이지
2015년 10월 4일 일요일
오후 1:32
17 페이지
2015년 10월 4일 일요일
오후 1:32
18 페이지
2015년 10월 4일 일요일
오후 1:32
'상태와 변화' 카테고리의 다른 글
| Propane ... (0) | 2016.10.24 |
|---|---|
| Physical constants and Conversions (0) | 2016.10.24 |
| 열역학 기초 (0) | 2016.10.24 |
| 무중력 상태에서 화염 (0) | 2016.10.17 |
| Water cluster (0) | 2016.09.02 |
주요 고무원료 특성 및 종류
고 무 종 류 |
| 천연고무 | 합성천연고무 | 스티렌고무 | 부타디엔고무 | 클로프렌고무 | 부틸고무 | 니트릴고무 | 에탈렌프로팔렌 | 하이팔론고무 | 아크릴고무 | 우레탄고무 | 실리콘고무 | 불소고무 | 다황화 |
(ASTM약호) |
| (NR) | (IR) | (SBR) | (BR) | (CR) | (IIR) | (NBR) | (EPM.EPDM) | (CSM) | (ACM,ANM) | (U) | (Si) | (FPM) | (T) |
화 학 구 조 |
| Polysoprene | Polysoprene | Styrene-Butadiene | Polybutadiene | Polychloroprene | Isobutylene-Ilsoprene | Acrylonitrile | Etylene-Propylene | Chlorosulfonated | Polyacrlate | Polyurethane | Polysiloxane | Fluorinated | Polysulfide |
|
|
|
| Copolymer |
|
| Copolymer | Copopymer Butadiene | Co(ter)polymer (-diene) | Polyetylene |
| diisocyanate |
| hydrocarbon |
|
특 징 |
| 소위 가장 고무다운 강성을 가진 것.내마모성등 기계적 성질이 좋다 | 천연고무와 거의 같은 성질을 가지며 안정하다 | 천연고무보다 내마모성·내노화성이 좋다.값이 NR 보다 싸다 | 천연고무보다 강성이 좋고 내마모성도 좋다 | 내구성·내오존성·내열성·내약품성 등 편균된 성질이 있다 | 내구성·내오존성·내가스투과성이 좋고 극성용제에 견딘다 | 내유·내마모· | 내노화성·내오존성·극성액체에 대한 저항성, 전기적성질이 좋다 | 내노화성·내오존성·내숙성·내약품성·내마모성 | 고온내유성이 좋다 | 기계적강도가 특히 우수하다 | 고도의 내열성과 내한성을 가지고 있다.내유성도 좋다. | 최고의 내열성과 내약품성을 가지고 있다 | 고도의 내유성이 있으며 내온존성, 전기적성질도 좋다 |
|
|
|
|
|
|
|
| 내노화성이 좋다 |
|
|
|
|
|
|
|
순고무의성질 | 비중 | 0.92 | 0.92-0.93 | 0.93-0.94 | 0.91-0.94 | 1.15-1.25 | 0.91-0.93 | 1.00-1.20 | 0.86-0.87 | 1.11-1.18 | 1.09-1.10 | 1.00-1.30 | 0.95-0.98 | 1.80-1.82 | 1.34-1.41 |
| 무우니점도 ML+4(100℃) | 90-150 | 55-90 | 30-60 | 35-55 | 45-120 | 45-75 | 30-100 | 50-150 | 30-55 | 45-60 | 25-60 또는 액장 | 액장 | 65-180 | 25-50 또는 액장 |
배합고무의 물리적 성질및 내성 | 가능한 KS | 10-100 | 20-100 | 30-100 | 30-100 | 10-90 | 20-90 | 15-100 | 30-90 | 50-90 | 40-90 | 60-100 | 30-90 | 50-90 | 30-90 |
| 인장강도(㎏/㎠) | 30-300 | 50-200 | 50-200 | 20-200 | 50-250 | 50-150 | 50-250 | 50-200 | 70-200 | 70-120 | 200-450 | 40-100 | 70-200 | 30-150 |
| 신장률(%) | 1,000-100 | 1,000-100 | 800-100 | 800-100 | 1,000-100 | 800-100 | 800-100 | 800-100 | 500-100 | 600-100 | 800-300 | 500-50 | 500-100 | 700-100 |
| 반발강성 | ◎ | ◎ | ○ | ◎ | ◎ | △ | ○ | ○ | ○ | △ | ◎ | ◎ | △ | △ |
| 인장강도 | ◎ | ○ | △ | ○ | ○ | ○ | ○ | △ | ○ | △ | ◎ | ×∼△ | ○ | ×∼△ |
| 내마모성 | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ○∼◎ | ○ | ◎ | ○ | ◎ | ○ | ◎ | ×∼△ | ◎ | ×∼△ |
| 내출곡구제성 | ◎ | ◎ | ○ | △ | ○ | ◎ | ○ | ○ | ○ | ○ | ◎ | ×∼○ | ○ | × |
| 내한성(℃) | 120 | 120 | 120 | 120 | 130 | 120 | 130 | 150 | 150 | 180 | 80 | 280 | 300 | 80 |
| 최고사용온도 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| 내성 | -50∼-70 | -50∼-70 | -30∼-60 | -73 | -35∼-55 | -30∼-55 | -10∼-20 | -40∼-60 | -20∼-60 | 0∼-30 | -30∼-60 | -70∼-120 | -10∼-50 | +10∼-40 |
| (산화온도℃) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| 내노화성 | ○ | ○ | ○ | ○ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ○ | ◎ | ◎ | ◎ |
| 내광성 | ○ | ○ | ○ | ○ | ○ | ◎ | ○ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ |
| 내오존성 | × | × | × | × | ◎ | ◎ | × | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ |
| 내염성 | × | × | × | × | ○ | × | ×∼△ | × | ○ | ×∼△ | ×∼△ | ×∼○ | ◎ | × |
| 전기절연성(Ω.㎝) | 1010∼1014 | 1010∼1011 | 1010∼1013 | 1011∼1016 | 1016∼1018 | 1016∼1018 | 102∼1010 | 1012∼1014 | 1014 | 108∼1010 | 109∼1012 | 1011∼1016 | 1011∼1012 | 1013 |
| (체적고유저항) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| 내가스투과성 | ○ | ○ | △ | ○ | ○ | ◎ | ○ | ○ | ◎ | ○ | ○ | △ | ◎ | ◎ |
| 내방사선성 | △∼○ | △∼○ | ○ | × | △∼○ | × | △∼○ | △∼○ | × | ×∼○ | ○ | △∼◎ | △∼○ | △∼○ |
배합 고무의 내유 내용 제성 | 가솔린·경유 | × | × | × | × | ○ | × | ◎ | × | ○ | ◎ | ◎ | ×∼△ | ◎ | ◎ |
| 벤젠톨루엔 | × | × | × | × | × | △∼○ | ×∼△ | △ | ×∼△ | × | ×∼△ | ×∼△ | ◎ | ◎ |
| 트리클로로에틸렌 | × | × | × | × | × | × | × | × | ×∼△ | × | △∼○ | △∼○ | ○ | △∼○ |
| 알코올 | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ |
| × | △ | ◎ | ◎ |
| 에테르 | × | × | × | × | ∼△ | △∼○ | ×∼△ | ○ | × | × | × | ×∼△ | ×∼△ | ×∼△ |
| 케톤(MEK) | △∼○ | △∼○ | △∼○ | △∼○ | △∼○ | ◎ | × | ◎ | △∼○ | × | × | ○ | × | ◎ |
| 에틸아세테이트 | ×∼△ | ×∼△ | ×∼△ | ×∼△ | × | ◎ | ×∼△ | ◎ | × | × | △∼○ | △ | × | △∼○ |
배합 고무의 내산성 내알카 리성 | 수 | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | △ | △ | ○ | ◎ | ○ |
| 유기산 | × | × | × | × | ×∼△ | ×∼○ | ×∼△ | × | △ | × | × | ○ | × | × |
| 고농도무기산 | × | × | × | × | ○ | ◎ | △ | ○ | ◎ | △ | × | △ | ◎ | × |
| 저농도무기산 | ○ | ○ | ○ | ○ | ◎ | ◎ | ○ | ◎ | ◎ | ○ | △ | ○ | ◎ | △ |
| 고농도알칼리 | ○ | ○ | ○ | ○ | ◎ | ◎ | ○ | ◎ | ◎ | △ | × | ◎ | × | △ |
| 저농도알칼리 | ○ | ○ | ○ | ○ | ◎ | ◎ | ○ | ◎ | ◎ | ○ | × | ◎ | △ | △ |
주 용 도 |
| 자동차(특히대형자동차)및트랙터용 타이어, 신발, 호스, 밸트, 공기스프링등 일반및공업용고무제품 | 자동차 및 항공기용타이어를 비롯하여 천연고무가 쓰이는 곳에는 거의 대용할 수 있다 | 경용차 타이어 신발, 고무 도포운동용품, 바닥타일, 배터리케이스, 벨트등 공업 및 일반용 고무제품 | 자동차및항공기용타이어, 신발, 방진고무,정미용고무롤,벨트,호스등공업 및 일반용 고무제품,플라스틱기질제 | 전선피복,콘베이어벨트,방진고무, 창고무,접착제, 고무도포 및 기타일반공업용고무제품 | 자동차튜브,타이어가황백(블래더),루핑재,전선피복, | 오일실,가스킷,내열호스,콘베어벨트,인쇄용고무롤,인쇄용고무롤,방적용톱롤등의 각종공업용,내유제품 | 전선피복,자동차용 웨더스트립,창고무, 스팀호스,콘베어벨트 등 | 내숙성,내충성여과,탱크라이닝,옥외용고무도포,내식성패킹,내열내식성 고무롤 등 | 자동차 트란스 미션 크랭쿠샤프트,관계의 패킹이나 실, 밸브 축오일 디플렉터 등 | 공업용롤, 소리드타이어벨트,고압패킹,가프링,다이패등 등의 강력한 힘이 걸리는 용품 | 패킹,가스킷,오일실,공업용롤, 방진고무 등 내열,내한용도의제품 및 전기절연용,의료용등의 실란드,포팅 | 내열,내유,화학 제품성을 필요로 하는 미사일,로켓등의패킹,화학공장의내충패킹,가스킷,다이어프람,탱크라이닝 | 고도의내유성을요구하는호스,패킹,롤등(이상드라이리버)실란드,코킹재,접착제,형취재 (이상 |
출처: <http://www.hansoring.co.kr/technical60.html>
- ◎ 매우뛰어남(EXCELLENT)
- ○ 우수함(GOOD)
- △ 물성의 개량을 위해서는 실험진행이필요(NORMAL)
- X 좋지않음
출처: <http://www.hansoring.co.kr/technical60.html>
'관련기술' 카테고리의 다른 글
| 리튬이온 전지 (0) | 2016.10.24 |
|---|---|
| Relief밸브와 안전밸브의 차이점 (0) | 2016.10.24 |
| 에어벨브 공압 기호 (0) | 2016.10.24 |
| Zeolite (0) | 2016.10.24 |
| 보일러관리 (0) | 2016.10.24 |
둥근 형태의 제트 버너에서의 합성가스(Syngas) 연소 분석
0 Comments/in blog /by altsoft
이번 블로그에서는 Reacting Flow 인터페이스와 Heat Transfer in Solids 인터페이스를 이용하여 둥근 형태의 제트 버너에서의 합성 가스 연소를 살펴보고자 합니다. 실험값과 벤치마킹하여 비교를 하였습니다.
합성가스란?
합성가스라는 이름은 연료혼합기체 – 대부분 수소, 일산화탄소, 이산화탄소로 구성 – 을 나타내는 것으로, 합성천연가스의 생산공정에서 중간물로 나옵니다. 하지만, 합성가스는 메탄올, 암모니아, 수소와 같은 다른 생성물을 만드는 데에도 이용됩니다. 여기에는 가스화(gasification)라고 알려진 공정이 도입됩니다.
가스화 공정에서 고체 공급 원료가 기체로 변환되는데 여러 분야에서 사용됩니다. 한 예로, 응축으로 가스를 액화합니다. 특히 가스화는 석탄에서 생물 자원에 이르는 원료 형태에 따라 유연하게 적용할 수 있습니다. 더불어, 이러한 접근법으로 황이나 이산화탄소와 같은 생성물을 포획하는 작업을 단순화할 수 있습니다.
현 블로그에서는 실험데이터를 비교하면서 해석을 수행하였습니다.
둥근 형태의 제트 버너에서의 난류 연소
이 모델에서 버너는 공기로 이루어진 같은 방향으로 흐르는 유체 안에 일직선 관으로 구성되어 있습니다. 일산화탄소, 수소, 질소로 구성된 기체가 76 m/s (Ma ≈ 0.25)속도로 관을 통해서 주입되고, 공기는 같은 방향으로 관 밖에서 0.7 m/s 속도로 들어오고 있습니다.
관을 나오면서 연료가스는 공기와 혼합이 되고, 원형 제트 패턴을 발생시킵니다. 제트의 난류는 두 기체가 확실하게 혼합되도록 하고 있으며, 관 출구에서 연소가 유지되게끔 합니다. 이는 연료와 산화제가 독자적으로 반응 영역으로 들어와서 연소가 되게끔 미리 섞이는 것을 방지하는 형태입니다.
둥근 형태의 제트 버트 개요
이 예제에서 반응 제트에서의 물질전달 모델을 위해 병류(co-flow)로 흐르는 반응에 관계하는 다섯 가지 종과 질소의 질량 분율을 해석합니다. 제트의 레이놀즈 수는 약 16700이며, 완전 난류라는 것을 의미합니다. 이러한 이유로, 유체의 난류성이 제트의 혼합과 반응 과정에 지대한 영향을 미친다는 것을 예측할 수 있습니다.
난류 모델로 유체의 난류성을 고려하였고, 난류 반응을 모델화 하기 위해 와류 분산(eddy dissipation) 모델을 사용하였습니다. 반응열로 인해, 연소의 결정적 특성인 제트의 온도가 상당히 증가합니다. 온도와 조성을 정확히 예측하기 위해 유체의 물성, 종의 물성을 온도 종속적으로 적용하였습니다.
합성 가스 모델은 난류, 열전달, 물질전달이 연동된 고 난이도 모델입니다. 비선형 모델에 대한 해석 방법은 예제를 참고하시기 바랍니다.
해석 결과
아래에 있는 첫 번째 그림은 반응이 일어나는 제트의 속도를 나타낸 것입니다. 핫 프리(hot free) 제트의 생성과 팽창을 보여줍니다. 제트의 출구 부분에서 난류 혼합이 초기에 병류로부터 유체의 가속을 유발하고, 엔트레인먼트(entrainment)로 간주하는 공정인 제트에 이르게 합니다. 이러한 유체 전이는 병류 유선에서는 명백합니다. 즉, 관 개구부의 제트 하류쪽으로 유선이 구부려져 있습니다.
속도 값과 패턴
다음은 제트에서의 온도입니다. 연소 영역에서 최대 온도가 약 1960 K가 되는 것을 확인할 수 있습니다.
제트 온도
다음 그림은 이산화탄소 질량분율을 나타낸 것입니다. CO2 는 관출구에서 제트의 바깥방향으로 전단층을 생성합니다. 반응을 촉진하는 난류 혼합으로 연료가 산소와 반응하여 만들어지는 층입니다. CO2생성과 같이 이전 그림에서 보여준 온도 증가도 관출구에서 발생합니다. 이는 화염이 상승하거나 관으로 결부되지 않는 것을 시사합니다.
이산화탄소 질량 분율Carbon dioxide mass fraction.
해석 결과와 실험 데이터 비교
이제 시뮬레이션 결과와 실험 데이터를 비교해 봅시다. 아래 왼쪽 그림은 중심선에서 제트 온도 분포를 보여 주고 있습니다. 이 그래프에서 실선은 해석 결과이고, 사각형은 실험값입니다. 모델에서 예측한 최고 온도가 실험 결과에 유사한 것을 볼 수 있습니다.
모델 결과에서 온도 분포가 하류 방향으로 이동된 것을 볼 수 있습니다. 이유는 모델에서 복사를 고려하지 않았기 때문입니다. 반면, 오른쪽 그림은 파이프 하류에서 서로 다른 위치(관 직경 20배와 50배)에서의 수평방향으로의 온도 분포를 비교한 것입니다. 해석과 실험에서 얻은 값이 유사한 것을 볼 수 있습니다.
왼쪽: 중심선에서의 온도 비교.
오른쪽: 관하류에서 관직경 20배와 50배 떨어진 곳에서의 온도
실험과 제트의 축방향 속도를 비교하면, 아래 그림처럼 해당 위치(관 직경 20배와 50배)에서 아주 흡사한 것을 볼 수 있습니다:
관직경 20배와 50배 위치에서의 축방향 속도
마지막으로, 제트 중심선에서의 종 농도를 살펴 봅시다. N2와 CO 인 경우, 축방향 질량 분율은 실험과 거의 따라가는 것을 확인할 수 있습니다. H2O와 H2 는 실험값과 꽤 잘 맞는 것을 볼 수 있습니다(H2O는 약간 이동되었습니다). CO2와 O2 는 실험값과 비슷한 경향을 보이고 있으나, 아래쪽으로 이동된 것을 볼 수 있습니다. 여기서, 차이가 나는 것은 모델에서 복사를 고려하지 않았기에 발생하는 것으로 예측합니다. 하지만, 단순하게 고려한 반응구성과 와류분산모델이 정확성에 영향을 미친 것으로 보입니다.
제트 중심선을 따른 종들의 질량 분율 비교
